当前位置 : 主页 > m.365asia >

如何确定半导体是直接频带间隔还是间接频带间隔

来源:365bet官网投注平台 作者:365bet比分 时间:10-06 11:22:41 点击:
全部展开
您可以使用光致发光光谱法确定半导体是直接带间隔还是间接带间隔。
如果光效率很高,则几乎是直接的带隙,如果光效率很低,则是间接的带隙。
直接带分离材料的吸收光谱必须能够以相对明显的方式将本征吸收带与吸收边缘区分开,变化相对缓慢并且间接带分离材料相对陡峭。
对于具有间接禁带(Si,Ge等)的半导体材料,在k空间中的不同位置,导通空间的最小值(导带的背景)和完整带的最大值。
半满能带的形成不仅需要能量吸收,还需要动量。
电子在状态k的动量为(h / 2pi)k,k不同,矩不同,并且需要将动量从一种状态更改为另一种状态。
相反,在直接禁止的半导体中,电子在移动到导带时不必改变动量。
扩展数据:光致发光过程包括荧光和磷光。
通常用于半导体检测和表征的光致发光光谱学是指光致发光发射。
光致发光特性:1,在简单且无损的设备中光致发光的优点,对样品量无严格要求。可用于高分辨率,薄层和微区域分析。
2.光致发光缺陷通常仅是定性分析,而不是定量分析。当进行低温测试时,条件很苛刻,需要冷却液氦。它不能反映出深层非放射性化合物的缺陷中心。
参考:百度百科-光致发光光谱



上一篇:“靥”是什么意思?
下一篇:nl是什么意思?
随机推荐
热门关注